周四，SK海力士公布了创纪录的季度利润和营收，这反映出市场对与英伟达(NVDA.US)处理器一起用于人工智能开发的存储芯片的强劲需求。
作为英伟达的供应商，这家韩国存储芯片巨头第三季度的营业利润达到7.03万亿韩元(51亿美元)，上年同期为亏损1.8万亿韩元，高于分析师预期的6.9万亿韩元。营收大增94%，达到17.6万亿韩元，而市场预期为18.2万亿韩元。
今年以来，SK海力士股价累计上涨逾35%，原因是该公司在设计和供应为英伟达人工智能加速器提供动力的尖端高带宽内存(HBM)方面扩大了对三星电子(SSNLF.US)和美光科技(MU.US)的领先优势。该公司预计将在第四季度向英伟达供应其12层堆叠的HBM3E內存。
此外，企业固态硬盘(用于大型公司的数据中心)的强劲需求也提振了SK海力士收益。
SK海力士在声明中表示：“以数据中心客户为中心的人工智能内存需求仍然强劲，该公司通过扩大HBM和eSSD等高端产品的销售，实现了自成立以来的最高营收。”
“特别是HBM销售额表现出了出色的增长，比上一季度增长了70%以上，比上年同期增长了330%以上，”该公司补充道。
Bloomberg Intelligence分析师Masahiro Wakasugi表示：“SK海力士第三季度的营业利润率比第二季度有所改善，原因是DRAM芯片的平均销售价格(ASP)有所提高，而美光的ASP在上一季度上涨了15%。SK海力士在HBM芯片方面的主导市场份额也帮助实现稳健的营业利润率，但由于智能手机和PC的原因，对标准DRAM的需求可能正在放缓。NAND芯片的平均售价可能会随着美光的上涨而略有上升。”
更广泛的存储芯片市场正在从智能手机和PC需求的低迷中复苏。内存芯片的价格在经历了长期低迷后已经反弹。
SK海力士表示，今年的资本支出可能会超过此前的计划，以跟上人工智能硬件支出的增长步伐。
据悉，该公司今年宣布了一系列投资计划，包括斥资38.7亿美元在美国印第安纳州建立一家先进封装工厂和人工智能产品研究中心。
在韩国，SK海力士还花费146亿美元建造一个新的存储芯片综合体，并继续进行其他在韩国投资，包括政府支持的龙仁半导体集群项目。
HBM芯片需求强劲增长
在SK海力士创纪录业绩的背景下，业内人士对HBM未来强劲需求的乐观预期似乎没有丝毫减退。
在周二的一次活动上，SK海力士首席执行官Kwak Noh-jung表示，该公司计划向包括英伟达在内的客户大规模生产和供应其最先进的人工智能芯片12层HBM3E。
“我们在年底前大规模生产12层HBM3E的计划没有变化。在发货和供应时间方面一切顺利，”他表示。
Kwak Noh-jung发表上述言论之际，半导体研究公司TrendForce的一名高级研究员预计，在英伟达和其他人工智能芯片制造商需求飙升的推动下，HBM的市场明年将继续强劲增长。
TrendForce研究运营高级副总裁Avril Wu表示，她预计明年全球HBM市场将增长156%，从今年的182亿美元增长到467亿美元。另外，预计其在DRAM市场的份额将从今年的20%上升到2025年的34%。
据TrendForce称，从主要人工智能解决方案提供商的角度来看，HBM规范要求将向HBM3E发生重大转变，预计12层堆叠产品将增加。该机构补充道，这一转变预计将提高每个芯片的HBM容量。
Wu表示，在HBM产品中，第五代HBM芯片HBM3E的份额预计将从今年的46%增加到2025年的85%，主要由英伟达的Blackwell GPU推动。
她表示，英伟达明年将继续主导人工智能市场，加剧三星电子、SK海力士和美光科技等主要存储芯片制造商之间的竞争。
TrendForce的研究人员预测，第六代HBM4的样品将于明年晚些时候发布，预计英伟达等公司将于2026年正式采用。
三星陷入困境
与SK海力士形成鲜明对比的是，竞争对手三星早些时候警告称，其第三季度利润将低于市场预期，并为令人失望的表现道歉，承认其在高端芯片供应方面难以取得进展。
目前，三星向英伟达、谷歌(GOOGL.US)、AMD(AMD.US)和亚马逊(AMZN.US)旗下AWS等客户提供第四代8层HBM3芯片，并向中国公司提供HBM2E芯片。
三星仍在努力获得英伟达对其HBM3E芯片的批准。
随着三星在HBM领域与竞争对手展开激烈竞争，负责三星半导体业务的DS部门负责人、三星副董事长Jun Young-hyun誓言要大幅削减芯片高管职位，并重组半导体相关业务。
三星还成立了专门的HBM芯片开发团队，并与台积电(TSM.US)就HBM4芯片达成合作。
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